1 / 1
Model No. : | YZPST-DCR804 |
---|---|
Brand Name : | Yzpst |
Yangzhou, Jiangsu, China
Περιγραφή προϊόντος
Έλεγχος φάσης θυρίστορ υψηλής ισχύος
YZPST-DCR804
Χαρακτηριστικά του δίσκου κάψουλας Powerex Thyristor : Εγγυημένη μέγιστη ώρα απόκλισης . Συσκευή συναρμολογημένη πίεση
. Όλη η διάχυτη δομή . Υψηλή ικανότητα DV/DT . Αποκλείοντας την κάλυψη μέχρι 2000 βολτ . Διαμόρφωση πύλης κεντρικής ενίσχυσης
DCR804SG2121
Υψηλή ισχύς θυρίστορ για εφαρμογές ελέγχου φάσης
Χαρακτηριστικά : . Όλη η διάχυτη δομή . Διαμόρφωση πύλης κεντρικής ενίσχυσης . Αποκλεισμός capabilty έως 2000 βολτ
. Εγγυημένη μέγιστη ώρα απόκλισης . Υψηλή ικανότητα DV/DT . Συσκευή συναρμολογημένη πίεση
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις
Μπλοκάρισμα - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V rrm = επαναλαμβανόμενη τάση αντίστροφης μέγιστης μέγιστης
V DRM = επαναλαμβανόμενη τάση κατάστασης κορυφής
V rsm = μη επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση μέγιστης μέγιστης (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
15 mA 35 mA (3) |
Critical rate of voltage rise (4) |
dV/dt |
200 V/msec |
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
900 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=67oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
1400 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
13000
12000 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
700 |
|
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
800 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
400 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.80 |
|
V |
ITM = 2200A; Duty cPSTCle £ 0.01%
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
150 |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V |
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις (cont`d)
Καύση
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 150 125 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.15 |
5 3
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
Δυναμικός
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.5 |
0.7 |
ms |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
200
|
125 |
ms |
ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V |
* Για εγγυημένη μέγιστη. Αξία, Εργοστάσιο Επικοινωνίας.
Θερμικά και μηχανικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
0.040 0.080 |
|
oC/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
0.015 0.030 |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
13.3 |
15.5 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
225 |
g |
|
* Οι επιφάνειες τοποθέτησης ομαλές, επίπεδες και λιπασμένες
ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για περίγραμμα και διαστάσεις, ανατρέξτε στην ενότητα Σχέση περιγράμματος περίπτωσης στην τελευταία σελίδα αυτού του τεχνικού δεδομένων
Περίγραμμα και διαστάσεις θήκης
Yangzhou, Jiangsu, China
Στείλτε το ερώτημά σας σε αυτόν τον προμηθευτή