Electronics High Power Thyristors 3000V
Electronics High Power Thyristors 3000V
Electronics High Power Thyristors 3000V
Electronics High Power Thyristors 3000V
Electronics High Power Thyristors 3000V
Electronics High Power Thyristors 3000V

1 / 2

Electronics High Power Thyristors 3000V

Λάβετε την τελευταία τιμή
Αποστολή έρευνας
Model No. : YZPST-N1132NC300
Brand Name : Yzpst
Supply Type : Other,Original Manufacturer,Odm,Agency
Reference materials : Other
Configuration : Single
Current-breakdown : Not Applicable
Current-hold (Ih) (maximum) : Not Applicable
Current-off state (maximum) : Not Applicable
SCR number, diode : Not Applicable
Operating temperature : -40°c ~ 125°c,-40°c ~ 150°c
SCR type : Sensitive Gate
structure : Single,Not Applicable
Voltage-on : 7 ~ 9v
Voltage-gate trigger (Vgt) (maximum) : 2.5v
Current-output (maximum) : Not Applicable
VRRM : 3000
VDRM : 3000
VRSM : 3100
περισσότερο
6yrs

Yangzhou, Jiangsu, China

Επισκεφθείτε το κατάστημα
  • Προμηθευτής χρυσού
  • Πιστοποίηση πλατφόρμας
  • Online expo
  • βίντεο

Περιγραφή προϊόντος


Ο κατασκευαστής ηλεκτρονικών ειδών Power Thyristors 3000V

YZPST-N1132NC300




Χαρακτηριστικά θυρίστορ 3000V : Διαμόρφωση πύλης ενσωματωμένης ενίσχυσης

. Εγγυημένη μέγιστη ώρα απόκλισης . Συσκευή συναρμολόγησης πίεσης. Όλη η διάχυτη δομή. Υψηλή ικανότητα DV/DT


Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις


Μπλοκάρισμα - Off State


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

3000

3000

3100

V rrm = επαναλαμβανόμενη τάση αντίστροφης μέγιστης μέγιστης

V DRM = επαναλαμβανόμενη τάση κατάστασης κορυφής

V rsm = μη επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση μέγιστης μέγιστης (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Σημειώσεις:

Όλες οι αξιολογήσεις καθορίζονται για TJ = 25 OC εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά.

(1) Όλες οι βαθμολογίες τάσης καθορίζονται για μια εφαρμοζόμενη κυματομορφή ημιτονοειδούς 50Hz/60ZHz σε σχέση με την περιοχή θερμοκρασίας -40 έως +125 oC.

(2) 10 msec. Μέγιστη. πλάτος παλμού

(3) Μέγιστη τιμή για TJ = 125 oC.

(4) Ελάχιστη τιμή για γραμμική και εκθετική Waveshape σε 80% ονομαστική VDRM. Ανοιχτή πύλη. TJ = 125 oC.

(5) Μη επαναλαμβανόμενη αξία.

(6) Η τιμή του DI/DT δημιουργείται σύμφωνα με το πρότυπο RS-397 EIA/NIMA, τμήμα 5-2-2-6. Η καθορισμένη τιμή θα ήταν επιπλέον εκείνη που λαμβάνεται από ένα κύκλωμα Ubber, το οποίο περιλαμβάνει έναν πυκνωτή 0,2 F και 20 ohmsresistance παράλληλα με τον υπό δοκιμή.



Διεξαγωγή - σε κατάσταση

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

1132

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2228

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

14.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.02x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.08

V

ITM = 1830 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

200

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Καύση

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Δυναμικός

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

400

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

Θερμικά και μηχανικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

26

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Οι επιφάνειες τοποθέτησης ομαλές, επίπεδες και λιπασμένες

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για περίγραμμα και διαστάσεις, ανατρέξτε στην ενότητα Σχεδίαση περιγράμματος περίπτωσης στη σελίδα 3 αυτής της τεχνικής δεδομένων



Λεπτομερείς εικόνες
Electronics Thyristor 3000V

Αποστολή έρευνας

Ειδοποίηση προϊόντων

Εγγραφείτε στις ενδιαφερόμενες λέξεις -κλειδιά. Θα στείλουμε ελεύθερα τα τελευταία και πιο καυτά προϊόντα στα εισερχόμενά σας. Μην χάσετε καμία εμπορική πληροφορία.