1 / 2
Model No. : | YZPST-N1132NC300 |
---|---|
Brand Name : | Yzpst |
Supply Type : | Other,Original Manufacturer,Odm,Agency |
Yangzhou, Jiangsu, China
Περιγραφή προϊόντος
Ο κατασκευαστής ηλεκτρονικών ειδών Power Thyristors 3000V
YZPST-N1132NC300
Χαρακτηριστικά θυρίστορ 3000V : Διαμόρφωση πύλης ενσωματωμένης ενίσχυσης
. Εγγυημένη μέγιστη ώρα απόκλισης . Συσκευή συναρμολόγησης πίεσης. Όλη η διάχυτη δομή. Υψηλή ικανότητα DV/DT
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις
Μπλοκάρισμα - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
3000 |
3000 |
3100 |
V rrm = επαναλαμβανόμενη τάση αντίστροφης μέγιστης μέγιστης
V DRM = επαναλαμβανόμενη τάση κατάστασης κορυφής
V rsm = μη επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση μέγιστης μέγιστης (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 100 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Σημειώσεις:
Όλες οι αξιολογήσεις καθορίζονται για TJ = 25 OC εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά.
(1) Όλες οι βαθμολογίες τάσης καθορίζονται για μια εφαρμοζόμενη κυματομορφή ημιτονοειδούς 50Hz/60ZHz σε σχέση με την περιοχή θερμοκρασίας -40 έως +125 oC.
(2) 10 msec. Μέγιστη. πλάτος παλμού
(3) Μέγιστη τιμή για TJ = 125 oC.
(4) Ελάχιστη τιμή για γραμμική και εκθετική Waveshape σε 80% ονομαστική VDRM. Ανοιχτή πύλη. TJ = 125 oC.
(5) Μη επαναλαμβανόμενη αξία.
(6) Η τιμή του DI/DT δημιουργείται σύμφωνα με το πρότυπο RS-397 EIA/NIMA, τμήμα 5-2-2-6. Η καθορισμένη τιμή θα ήταν επιπλέον εκείνη που λαμβάνεται από ένα κύκλωμα Ubber, το οποίο περιλαμβάνει έναν πυκνωτή 0,2 F και 20 ohmsresistance παράλληλα με τον υπό δοκιμή.
Διεξαγωγή - σε κατάσταση
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1132 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2228 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.02x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.08 |
|
V |
ITM = 1830 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Καύση
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Δυναμικός
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
Θερμικά και μηχανικά χαρακτηριστικά και αξιολογήσεις
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
26 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Οι επιφάνειες τοποθέτησης ομαλές, επίπεδες και λιπασμένες
ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για περίγραμμα και διαστάσεις, ανατρέξτε στην ενότητα Σχεδίαση περιγράμματος περίπτωσης στη σελίδα 3 αυτής της τεχνικής δεδομένων
Yangzhou, Jiangsu, China
Στείλτε το ερώτημά σας σε αυτόν τον προμηθευτή